AIXTRON tritt 300-mm-GaN-Forschungsprogramm mit Hyperion 300 mm Anlage bei

AIXTRON tritt 300-mm-GaN-Forschungsprogramm mit Hyperion 300 mm Anlage bei

Herzogenrath, 7. Oktober 2025 – AIXTRON SE (FSE: AIXA) beteiligt sich als einer der ersten Partner mit seinem Hyperion GaN-MOCVD-System an einem 300-mm-GaN-Programm für Leistungselektronik. Das Hyperion-System wird genutzt, um 300 mm Epitaxiewafer für das Programm und dessen Partner bereitzustellen und damit die Entwicklung von Nieder- und Hochspannungs-Leistungselektronikanwendungen zu unterstützen – beispielsweise On-Board-Charger und DC/DC-Wandler für Elektrofahrzeuge, Wechselrichter für Solaranlagen sowie Stromverteilungssysteme für AI-Rechenzentren.

Imec, das renommierte Halbleiter-Forschungsinstitut mit Sitz in Leuven (Belgien), hat sein GaN-Power-Programm, das bisher auf 200 mm Wafern basiert, um ein neues 300 mm Programm erweitert, um GaN-Epitaxiewachstum und Prozessabläufe für nieder- und hochvoltige GaN-High-Electron-Mobility-Transistors (HEMT) zu entwickeln. Der Einsatz von 300 mm Substraten wird nicht nur die Herstellungskosten für GaN-Bauelemente senken, sondern auch die Entwicklung fortschrittlicherer Leistungselektronikbausteine ermöglichen – etwa hocheffiziente Niederspannungs-Point-of-Load-Wandler für CPUs und GPUs. AIXTRON unterstützt dieses neue Programm mit seinem Hyperion 300 mm GaN-MOCVD-System in imecs hochmodernem Reinraum in Leuven. Das System wird Epitaxiewafer für das Programm und dessen Partner liefern, um die Entwicklung von Nieder- und Hochvolt-Leistungselektronikanwendungen voranzutreiben.

„Wir sind sehr stolz, erneut mit imec zusammenzuarbeiten, um die Entwicklung im Bereich GaN-Power voranzutreiben. Dank der In-Situ-Reinigungsfunktionen ist unsere Hyperion 300 mm GaN-MOCVD-Plattform bislang die einzige vollautomatisierte Plattform. Sie ermöglicht es unseren Kunden, 300 mm GaN-Epitaxie nahtlos in ihre Silizium-Reinräume zu integrieren“, sagt Dr. Felix Grawert, CEO der AIXTRON SE, und ergänzt: „Es war für uns nur konsequent, die Partnerschaft mit imec im Bereich 300 mm GaN fortzusetzen, um die Einführung der Galliumnitrid-Technologie in immer mehr siliziumbasierten Anwendungen weiter zu beschleunigen. Die Zusammenarbeit stellt sicher, dass unsere Kunden direkt auf ihren MOCVD-Systemen von den neuesten Prozessfortschritten bei imec profitieren.“

AIXTRON und imec sind langjährige Partner in mehreren Programmen, in denen imec sowohl die AIXTRON G5+ C als auch die G10-GaN Anlage in seinem Reinraum einsetzt, um die Entwicklung von GaN-Power- und HF-Bauelementen für alle Forschungspartner voranzutreiben. Nachdem seit 2024 bereits an 300-mm-GaN-Power gearbeitet wurde, schafft diese neue Partnerschaft einen starken gegenseitigen Mehrwert für imec und AIXTRON: Sie beschleunigt die Verfügbarkeit vorproduktionsreifer Epitaxie-Rezepturen und Prozessabläufe, die Partner direkt auf ihren AIXTRON-MOCVD-Systemen nutzen können, um mit ihrer Produktentwicklung zu beginnen.

Ansprechpartner

Christian Ludwig

Vice President Investor Relations & Corporate Communications

fon +49 (2407) 9030-444

e-mail c.ludwig@aixtron.com

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und -umwandlung, Kommunikation, Signal- und Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R), EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche ausserhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind.. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen geht die deutsche massgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung vor.